上海
智能手機內部空間有限，所以高性能的高帶寬內存（HBM）很難安裝在上面，更不用說制造商還要考慮散熱問題。不過隨著人工智能（AI）時代的到來，設備端計算需求的增加，使得智能手機制造商開始思考新的解決方法。
據Wccftech報道，華為和小米都打算引入低延遲大容量DRAM設計，稱為“LLM”，以支持SoC和NPU。雖然不是真正的HBM，但是選擇了類似的思路，最主要是為了提供更大的內存帶寬，預計提升幅度為1.5倍，而且功耗能降低50%。
其實更早之前就有消息稱，華為正在開發(fā)適用于智能手機的HBM設計，而蘋果也在準備類似的技術，打算應用到iPhone 20系列上。另外三星也做過相關研究，通過復雜的封裝技術完成該設計。
兩個月前還有報道稱，高通選擇與長鑫存儲（CXMT）合作，開發(fā)用于智能手機的定制DRAM。傳聞高通希望通過引入新的設計，提升NPU的性能，實現(xiàn)真正的設備端AI運算，不過具體情況暫時還不太清楚。
無論如何，這些設計看起來應該都不是大家熟悉的HBM，不過目的都是一致的，即在智能手機上實現(xiàn)更強的計算性能，從而增強AI體驗。如果一切順利，應該不會等太久，就會看到智能手機制造商拿出最終的成品。
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