新 聞1：SK海力士發(fā)布控溫散熱存儲技術(shù)“iHBM”：封裝內(nèi)集成一體化冷卻元件“ICE”

SK海力士宣布，推出“iHBM”技術(shù)。其通過在HBM封裝內(nèi)集成一體化冷卻元件“ICE”，顯著降低產(chǎn)品運行時的發(fā)熱量。

隨著AI算力需求持續(xù)激增，HBM不斷通過增加堆疊層數(shù)、提升運行速度來實現(xiàn)性能的迭代升級，同時也帶來發(fā)熱量攀升的難題。有效控制連接HBM與GPU的D2D PHY區(qū)域的功率密度，成為了下一代HBM技術(shù)競爭力的核心。

iHBM技術(shù)的特點在于，從結(jié)構(gòu)層面根本性解決上述散熱難題。iHBM直接在熱量最為集中的D2D PHY區(qū)域內(nèi)嵌入熱控元件（ICE），構(gòu)建專用熱量排出通道（Heat Path），取代了傳統(tǒng)HBM依賴熱量經(jīng)由核心芯片（Core Die）向外傳導(dǎo)的間接散熱方式。相比于傳統(tǒng)方案，iHBM讓熱阻（Thermal Resistance）降低了30%以上，并確保了產(chǎn)品在高溫、高負載環(huán)境下的穩(wěn)定運行特性。

由于采用經(jīng)市場充分驗證的先進MR-MUF4晶圓級封裝（WLP）工藝，使得iHBM技術(shù)在量產(chǎn)可行性方面也具備顯著優(yōu)勢，能實現(xiàn)穩(wěn)定規(guī)?；慨a(chǎn)。另外iHBM技術(shù)與客戶現(xiàn)有系統(tǒng)級封裝（SiP）環(huán)境具備高度設(shè)計兼容性，無需大規(guī)模改動設(shè)計，即可直接部署，從而降低了導(dǎo)入門檻。

SK海力士計劃將iHBM技術(shù)應(yīng)用于HBM5等下一代產(chǎn)品，以滿足高性能計算（HPC）、AI數(shù)據(jù)中心等超高度集成、高帶寬應(yīng)用場景的嚴(yán)苛散熱管控需求，進一步提升整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性與運行效率。

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隨著AI芯片對HBM內(nèi)存容量、性能的更高需求，HBM內(nèi)存高溫問題其實早就埋下了伏筆。而SK海力士則是更早想到了這一步，與其一直依靠外部的散熱器，為什么不能有集成在內(nèi)部的芯片級方案呢？“iHBM”技術(shù)就來了！這個神奇的ICE元件看起來非常小，在HBM內(nèi)存的封裝中只占了很小一部分，不知道SK海力士又拿出了什么黑科技。但，這美好的一切肯定有代價，對基板會有更高的要求，良率應(yīng)該也會降低，不知道海力士會怎么權(quán)衡。

新 聞 2： 酷冷至尊與芝奇聯(lián)合推出帶渦輪風(fēng)扇的DDR5內(nèi)存：MasterDimm AC

內(nèi)存自帶主動式散熱器并不是什么罕見的東西，部分高端內(nèi)存套裝確實會送下壓式風(fēng)扇散熱器，但直接在內(nèi)存上裝渦輪風(fēng)扇我就真沒見過了?？崂渲磷鸷椭テ媛?lián)合發(fā)布了MasterDimm AC，這是一款自帶渦輪風(fēng)扇散熱器的DDR5內(nèi)存，這套內(nèi)存將在今年臺北電腦展期間展出。

這款MasterDimm AC系列內(nèi)存最高可提供64GB*2的套裝，會提供AMD的EXPO版本和Intel XMP 3.0的版本，其中EXPO的版本最高可提供6000MT/s CL26的低延遲配置，而XMP的版本會采用高頻CUDIMM，最高可達8400MT/s。

MasterDimm AC采用噪音優(yōu)化的渦輪風(fēng)扇和特殊設(shè)計的氣流散熱片，可在35分貝以下的噪音水平實現(xiàn)更佳的散熱效果。而裝備了主動式散熱器的MasterDimm AC可提供降低15℃的內(nèi)存工作溫度。

當(dāng)然了想在常規(guī)內(nèi)存的寬度上安裝渦輪風(fēng)扇是不太現(xiàn)實的，MasterDimm AC實際上占據(jù)了兩個內(nèi)存插槽的空間，因此只能在四槽的主板上使用，雙槽的顯卡很常見，雙槽內(nèi)存還是第一次見到。當(dāng)然了，MasterDimm AC最大128GB的容量其實也可滿足大部分用戶對內(nèi)存容量的需求。

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沒有芯片級方案就不行了嗎？也并不是。雖然沒有AI芯片中HBM那樣火熱的情景，但家用DDR5內(nèi)存的高溫也是自問世以來就老生常談的問題。而芝奇則與散熱廠家酷冷至尊展開了跨界合作，渦輪散熱技術(shù)被用在了內(nèi)存產(chǎn)品。主動散熱內(nèi)存不少見，但是渦扇確實沒見過，而且直接加厚到了“雙槽”厚度……用未來的擴展性和最大容量上限，換來更低的溫度、更穩(wěn)定的工況、更強的性能釋放和更高的超頻潛力，不知道大家覺得值不值得呢？？

新 聞3： 臺積電稱能效正成為AI芯片的優(yōu)先項，比計算能力更重要

過去幾年里，隨著人工智能（AI）帶來的計算量爆發(fā)，數(shù)據(jù)中心的用電量也出現(xiàn)了大幅飆升，使得芯片的能源效率受到了更多的關(guān)注，也成為了未來芯片開發(fā)的主要限制。許多原本只是用于移動設(shè)備的技術(shù)，因為有更好的能效表現(xiàn)，現(xiàn)在也開始更多地應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心相關(guān)產(chǎn)品上，比如LPDDR內(nèi)存。

據(jù)TrendForce報道，近日臺積電在公開場合中表示，從智能手機制造商到AI數(shù)據(jù)中心的運營商，客戶越來越重視能夠最大限度降低額外能耗的性能提升。這一變化也反映在臺積電的制程技術(shù)上，預(yù)計即將到來的A14工藝相比N2工藝，性能提高20%以上，同時功耗降低30%。

A14將采用第二代GAA晶體管，并通過NanoFlex Pro技術(shù)進一步提高靈活性，預(yù)計2027年末進行試生產(chǎn)，2028年量產(chǎn)。不過首發(fā)的A14制程工藝不支持超級電軌（Super Power Rail，SPR）架構(gòu)，也就是背面供電技術(shù)，臺積電會在2029年帶來加入背面供電的版本，滿足高性能客戶端和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的需求。

盡管晶體管密度提升仍然是臺積電發(fā)展路線圖的核心，但是先進封裝、芯片堆棧、以及光子技術(shù)等都在推動效率提升的過程中變得越來越重要。從臺積電規(guī)劃的A13和A12工藝來看，提升能效已成為下一代AI芯片比持續(xù)縮小晶體管尺寸更為緊迫的優(yōu)先事項。

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當(dāng)大家開始重視溫度問題時，臺積電也跳出來強調(diào)了最底層制造工藝的重要性。在可見的未來，能效將會成為比性能更重要的優(yōu)先項，而臺積電未來的制造工藝路線中，功耗的下降正是重要的提升點。看起來，前邊的各種散熱方案，有的時候真不如升級一下臺積電代工工藝來的實在，就是臺積電這個價格……嗯……

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