江蘇
2026年6月10日，北京華卓精科科技股份有限公司（下稱“華卓精科”）宣布，其自主研發(fā)的W2W熔融鍵合裝備成功交付客戶。這是繼2026年2月4日公司D2W芯?；旌湘I合裝備交付武漢客戶后，華卓精科在先進封裝鍵合領(lǐng)域的又一重要里程碑，標志著中國在HBM制造、Chiplet異構(gòu)集成等關(guān)鍵裝備的自主化道路上邁出堅實一步。
在人工智能算力需求爆發(fā)性增長的背景下，先進封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律、提升芯片性能的關(guān)鍵。據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)測，全球先進封裝市場規(guī)模有望從2024年的460億美元提升至2030年的794億美元，年復(fù)合增長率達9.5%。
熔融鍵合技術(shù)作為三維集成電路堆疊的核心工藝，正迎來前所未有的市場機遇。當(dāng)前我國在先進封裝設(shè)備尤其是HBM產(chǎn)業(yè)鏈中的國產(chǎn)化率不足5%，國產(chǎn)替代空間巨大。華卓精科此次W2W熔融鍵合裝備的成功交付，正是對這一市場缺口的精準回應(yīng)。
在3D IC與HBM制造方面，熔融鍵合技術(shù)用于垂直堆疊多層DRAM芯片，實現(xiàn)超高帶寬互連，滿足AI訓(xùn)練對數(shù)據(jù)吞吐能力的極致需求。在Chiplet異構(gòu)集成方面，它可將不同工藝節(jié)點的小芯片集成于同一封裝內(nèi)，實現(xiàn)晶圓間的牢固結(jié)合。此外，該技術(shù)還廣泛應(yīng)用于CMOS圖像傳感器背照式結(jié)構(gòu)制備及SOI晶圓批量制造。
然而熔融鍵合技術(shù)門檻極高。隨著互連線尺寸縮小，對準精度須控制在3um以內(nèi)；鍵合界面的空洞和微粒污染會直接導(dǎo)致芯片失效；TSV工藝產(chǎn)生的晶圓局部應(yīng)變會影響鍵合質(zhì)量；同時，為避免損傷溫度敏感器件，鍵合需在200℃至400℃的溫度條件下完成。
華卓精科依托源自清華大學(xué)的20余年超精密測控技術(shù)積累，成功攻克了高精度對準、界面缺陷控制、晶圓翹曲管理及低溫工藝等一系列核心技術(shù)難題。公司基于納米級超精密運動平臺技術(shù)，實現(xiàn)了晶圓間的高精度對準，滿足先進制程要求。
面向HBM芯片制造核心環(huán)節(jié)，華卓精科已自主研發(fā)出多款系列高端裝備，包括：混合鍵合裝備（UP-UMA?HB300）、熔融鍵合裝備（UP-UMA?FB300）、激光剝離裝備（UP-LLR-300）、激光退火裝備（UP-DLA-300）等。這一系列自主化裝備矩陣的成型，標志著華卓精科已具備提供先進封裝關(guān)鍵制程中成套裝備解決方案的能力。
在客戶認可與服務(wù)方面，華卓精科采用定制化開發(fā)與標準化銷售相結(jié)合的模式。對新客戶或新工藝，先通過技術(shù)開發(fā)合同進行工藝驗證；對成熟工藝，則直接銷售標準化設(shè)備。公司面向HBM制造、Chiplet集成等前沿應(yīng)用的鍵合設(shè)備，已獲得產(chǎn)業(yè)客戶的認可與采用。
面對當(dāng)前地緣政治影響下高端半導(dǎo)體設(shè)備進入中國市場日益困難的局面，華卓精科以自主創(chuàng)新的W2W熔融鍵合裝備，服務(wù)于中國HBM及先進封裝產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。從D2W到W2W的連續(xù)交付，華卓精科正用實際行動證明中國企業(yè)在高端半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力，在這場全球半導(dǎo)體裝備競賽中加速奔跑
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