公司動(dòng)態(tài)

　　在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新一輪上行周期中，長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司已成為中國(guó)大陸DRAM領(lǐng)域擴(kuò)張勢(shì)頭最為強(qiáng)勁的代表性企業(yè)。根據(jù)其于2026年5月17日更新的科創(chuàng)板IPO招股說(shuō)明書(shū)，該公司在2026年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入508億元人民幣，歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)為247.6億元，并預(yù)計(jì)上半年歸母凈利潤(rùn)將在500億至570億元區(qū)間內(nèi)。橫向?qū)Ρ葋?lái)看，同期韓國(guó)SK海力士存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收約為2700億元人民幣，三星電子相關(guān)業(yè)務(wù)則達(dá)3800億元人民幣。由此可知，長(zhǎng)鑫科技單季度營(yíng)收規(guī)模已接近SK海力士的五分之一，展現(xiàn)出極強(qiáng)的成長(zhǎng)勢(shì)能與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

　　從業(yè)務(wù)定位出發(fā)，長(zhǎng)鑫科技與SK海力士高度相似，均屬于以DRAM為核心產(chǎn)品的垂直整合制造商（IDM），覆蓋芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造及封裝測(cè)試全鏈條。區(qū)別在于，SK海力士約三成收入來(lái)自NAND閃存，而長(zhǎng)鑫科技目前專注于純DRAM業(yè)務(wù)路徑。這種聚焦策略使其在細(xì)分賽道中快速積累技術(shù)能力與量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，逐步確立起“中國(guó)海力士”的行業(yè)形象。在全球長(zhǎng)期由三星、SK海力士與美光主導(dǎo)的存儲(chǔ)格局中，長(zhǎng)鑫科技是近十余年來(lái)最具成長(zhǎng)潛力與現(xiàn)實(shí)威脅的新銳力量。

　　DRAM芯片制造流程極為精密復(fù)雜，涵蓋數(shù)百道工序，包括刻蝕、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）、清洗、檢測(cè)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，每一環(huán)節(jié)均需匹配專用設(shè)備與高性能材料。招股書(shū)顯示，長(zhǎng)鑫科技已完成從DDR4到DDR5的全系產(chǎn)品升級(jí)，毛利率亦由兩年前的負(fù)值（-112%）躍升至40%以上。這一結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變的背后，是其供應(yīng)鏈體系日趨成熟所給予的堅(jiān)實(shí)支撐。行業(yè)資深工程師蔣彬指出，長(zhǎng)期以來(lái)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商面臨的核心瓶頸并非技術(shù)儲(chǔ)備不足，而是缺乏在真實(shí)量產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行充分驗(yàn)證的機(jī)會(huì)；而長(zhǎng)鑫科技與長(zhǎng)江存儲(chǔ)持續(xù)的大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，恰恰為上游設(shè)備企業(yè)提供了不可多得的產(chǎn)業(yè)化試驗(yàn)場(chǎng)。

　　在DRAM產(chǎn)線資本開(kāi)支結(jié)構(gòu)中，刻蝕與薄膜沉積設(shè)備合計(jì)占比約50%，位居首位；光刻設(shè)備緊隨其后；量測(cè)檢測(cè)設(shè)備約占總支出的12%–15%。盡管應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)、東京電子等國(guó)際巨頭仍占據(jù)全球主導(dǎo)地位，但國(guó)產(chǎn)設(shè)備在國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)線的滲透率正快速提升。據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，長(zhǎng)鑫科技當(dāng)前國(guó)產(chǎn)設(shè)備整體占比已達(dá)四至五成；長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢三期工廠的國(guó)產(chǎn)設(shè)備采購(gòu)比例更超過(guò)一半，其中核心工序國(guó)產(chǎn)化率已突破60%。不過(guò)，各環(huán)節(jié)進(jìn)展并不均衡：CMP與清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)化程度較高；刻蝕與薄膜沉積正處于高速滲透階段；而量測(cè)檢測(cè)、涂膠顯影等環(huán)節(jié)仍是國(guó)產(chǎn)替代的薄弱地帶，亦是未來(lái)重點(diǎn)攻堅(jiān)方向。

　　刻蝕設(shè)備的技術(shù)門檻尤為突出，其核心性能指標(biāo)“深寬比”直接決定電路微結(jié)構(gòu)的精度極限。北方華創(chuàng)作為國(guó)內(nèi)產(chǎn)品譜系最廣的設(shè)備廠商，2025年刻蝕與薄膜沉積設(shè)備收入雙雙突破百億元，立式爐與PVD設(shè)備交付量均超1000臺(tái)。中微公司則在超高深寬比刻蝕領(lǐng)域取得重大突破，其自主研發(fā)設(shè)備已有300余臺(tái)反應(yīng)器投入量產(chǎn)，下一代90:1低溫刻蝕機(jī)及第二代ICP刻蝕設(shè)備分別實(shí)現(xiàn)90:1與140:1的刻蝕成果——這意味著可在納米級(jí)寬度溝槽中完成近百倍乃至百四十倍深度的精準(zhǔn)加工，已具備支撐最新一代DRAM量產(chǎn)的能力。

　　薄膜沉積方面，拓荊科技表現(xiàn)搶眼。2026年一季度，公司營(yíng)收達(dá)11.12億元，同比增長(zhǎng)57%；歸母凈利潤(rùn)5.71億元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。2025年全年，其PECVD設(shè)備收入51.42億元（+75%），ALD設(shè)備收入3.01億元（+192%）。國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期首個(gè)產(chǎn)業(yè)投資項(xiàng)目即投向其子公司拓荊鍵科，聚焦先進(jìn)鍵合設(shè)備研發(fā)。此外，華海清科于2026年4月交付第1000臺(tái)CMP設(shè)備，占據(jù)國(guó)產(chǎn)CMP市場(chǎng)九成以上份額；精智達(dá)自主研發(fā)的高速FT測(cè)試機(jī)速率高達(dá)每秒90億比特，超越日本愛(ài)德萬(wàn)主力機(jī)型，并于年初斬獲13.11億元大額訂單，覆蓋DRAM與HBM全流程測(cè)試。

　　隨著產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，設(shè)備采購(gòu)需求迎來(lái)爆發(fā)期。據(jù)悉，長(zhǎng)鑫科技已于2026年第二季度啟動(dòng)新一輪設(shè)備招投標(biāo)，全年計(jì)劃新增晶圓產(chǎn)能5萬(wàn)至6萬(wàn)片，對(duì)應(yīng)設(shè)備采購(gòu)金額預(yù)計(jì)達(dá)350億至430億元。疊加IPO募投項(xiàng)目中明確列支的220.66億元設(shè)備購(gòu)置及安裝費(fèi)用，以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)2號(hào)廠房同步開(kāi)啟的工藝設(shè)備招標(biāo)，國(guó)內(nèi)兩大存儲(chǔ)龍頭已共同步入設(shè)備采購(gòu)高峰期，為國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商帶來(lái)歷史性機(jī)遇。

　　材料端的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程同樣提速明顯。長(zhǎng)鑫科技2025年原材料采購(gòu)總額約114.7億元，其中化學(xué)品占比最高（37.29%），其次為光阻劑（12.16%）、硅片（8.55%）及電子特氣（5.10%）。前驅(qū)體作為ALD/CVD工藝的關(guān)鍵原料，在DRAM電容器制造中用量巨大，且隨工藝迭代呈上升趨勢(shì)。雅克科技作為國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，其江蘇工廠前驅(qū)體國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目已完成客戶端驗(yàn)證，進(jìn)入批量試生產(chǎn)階段。安集科技一季度營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，多款鎢基拋光液已在先進(jìn)制程中穩(wěn)定上量；電子特氣方面，華特氣體、金宏氣體等瓶裝氣供應(yīng)商加速滲透，廣鋼氣體、正帆科技等也在大宗現(xiàn)場(chǎng)制氣領(lǐng)域穩(wěn)步推進(jìn)。

　　值得關(guān)注的是，國(guó)產(chǎn)化導(dǎo)入已切實(shí)轉(zhuǎn)化為成本優(yōu)勢(shì)。以2023年為基準(zhǔn)，至2025年，長(zhǎng)鑫科技硅片采購(gòu)單價(jià)下降約30%，靶材下降約22%，備件降幅接近47%，化學(xué)品采購(gòu)成本亦降低約26%。公司在招股書(shū)中明確將“加大國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商導(dǎo)入力度”列為降本增效的重要舉措，旨在同步強(qiáng)化供應(yīng)鏈韌性與成本競(jìng)爭(zhēng)力。

　　業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，制約國(guó)產(chǎn)設(shè)備與材料發(fā)展的根本癥結(jié)，在于缺乏規(guī)?；慨a(chǎn)驗(yàn)證場(chǎng)景。深圳某存儲(chǔ)企業(yè)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人周勇輝指出，這曾形成典型的“雙循環(huán)困境”：因缺少頭部客戶訂單，企業(yè)難以持續(xù)投入研發(fā)；研發(fā)不足又導(dǎo)致產(chǎn)品性能難以達(dá)標(biāo)，進(jìn)而進(jìn)一步失去訂單機(jī)會(huì)。長(zhǎng)鑫科技與長(zhǎng)江存儲(chǔ)憑借其標(biāo)準(zhǔn)化制造平臺(tái)與穩(wěn)定擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏，實(shí)質(zhì)上構(gòu)建了一個(gè)高效可靠的國(guó)產(chǎn)化驗(yàn)證閉環(huán)。由于存儲(chǔ)芯片工藝平臺(tái)高度統(tǒng)一，一旦設(shè)備或材料在某一代平臺(tái)上完成驗(yàn)證并導(dǎo)入，后續(xù)產(chǎn)能復(fù)制即可快速鋪開(kāi)，極大縮短商業(yè)化周期。

　　數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)鑫科技當(dāng)前量產(chǎn)的第四代平臺(tái)國(guó)產(chǎn)設(shè)備參與度尚不足20%，但正在開(kāi)發(fā)的新一代平臺(tái)，國(guó)產(chǎn)化比例有望躍升至40%以上。這意味著，未來(lái)每新增1萬(wàn)片月產(chǎn)能，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商所能獲得的訂單份額將是此前的兩倍左右。截至2025年底，公司月產(chǎn)能約為28萬(wàn)至29萬(wàn)片12英寸晶圓，而要滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，目標(biāo)產(chǎn)能需提升至80萬(wàn)片，中間存在約50萬(wàn)片的巨大缺口。按照行業(yè)慣例，每新增1萬(wàn)片月產(chǎn)能需配套約70億元設(shè)備投資測(cè)算，潛在設(shè)備總投資規(guī)模可達(dá)數(shù)千億元。若新一代平臺(tái)國(guó)產(chǎn)化率如期突破40%，僅IPO募投中的220億元設(shè)備預(yù)算，就將為國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)帶來(lái)近百億元訂單增量。

　　據(jù)Omdia預(yù)測(cè)，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將由2025年的1505億美元增長(zhǎng)至2030年的5710億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率超30%。在此背景下，長(zhǎng)鑫科技2026年一季度全球市場(chǎng)份額已達(dá)9.7%，相較2025年二季度的3.97%實(shí)現(xiàn)跨越式提升。公司亦在招股書(shū)中強(qiáng)調(diào)“發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈鏈主引領(lǐng)作用”，致力于推動(dòng)供應(yīng)鏈本土化、多元化發(fā)展?？梢灶A(yù)見(jiàn)，隨著長(zhǎng)鑫科技產(chǎn)能持續(xù)攀升與國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提高，整個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)前所未有的結(jié)構(gòu)性發(fā)展機(jī)遇。

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